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安森美的EliteSiC系列碳化硅(SiC)技术提升Ampt的直流优化器性能2023年1月6日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，和世界头号大型光伏(PV)太阳能和储能系统直流优化器公司Ampt LLC宣布携手合作，以满足市场对直流组串优化器的高需求。Ampt在其直流组串优化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅(SiC)技术之N沟道SiC MOSFET，用于关键的功率开关应用。Ampt组串优化器用于大规模光伏电站，使成本更低、性能更高的太阳能和直流耦合储能系统被共同部署在太阳能电站内。组串优化器以高的固定电压输送来自光伏阵列的电力，系统电压范围在600 VDC至1500VDC，降低了电站的整体电流要求和成本。Ampt优化器利用安森美最新的具有极低导通电阻和开关损耗的SiC MOSEFT技术，实现了储能系统和太阳能电站更高的双向充放电效率。Ampt首席执行官Levent Gun说：“将安森美的EliteSiC技术纳入我们的直流优化器，有助于大型光伏电站开发商提高项目的经济效益。显然，产品性能是我们的一个关键决策点，而安森美提供在设计阶段的技术支持及持续供货保证，支持Ampt的快速扩展，证明安森美是个强大的合作伙伴。”EliteSiC器件的RDS(on)典型值为80 mΩ，栅极电荷(Qg)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低了应用中的热管理要求，从而实现尺寸更小、成本更低的方案。安森美执行副总裁兼电源方案部总经理Simon Keeton说：“我们的EliteSiC技术把高性能和高可靠性相结合，能够实现高效、可靠的直流优化器，这也是Ampt这样的行业领导者所期望的。我们期待持续合作开发新产品，推进可再生能源应用向前发展，打造一个可持续的生态系统。” |
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