更新时间:2023/5/7 17:14:36  文章录入:admin  责任编辑:admin
【ITBEAR科技资讯】5月5日消息,据外媒报道,三星电子计划在未来五年内在芯片代工领域超越其主要竞争对手台积电。虽然三星电子已经开始量产3纳米芯片,成为全球第一家实现3纳米芯片代工的公司,但在市场份额上仍然落后于长期占据超过50%市场份额的台积电。三星电子总裁兼代工业务负责人Siyoung Choi表示,三星需要五年时间才能赶上并超过台积电。三星电子计划通过采用更先进的GAA晶体管技术来缩小与台积电的技术差距,以期在下一代2纳米制程工艺上超越台积电。据ITBEAR科技资讯了解,三星电子正在与全球最大的代工企业台积电竞争。台积电早已确立了自己作为全球领先代工芯片制造商的地位。然而,三星电子正致力于在芯片代工制造领域占据领先地位。目前,三星电子已经率先量产3纳米芯片,采用更先进的GAA晶体管技术,而不是鳍式场效应晶体管(FinFET),这是全球首个实现3纳米芯片代工的公司。据三星电子总裁兼代工业务负责人Siyoung Choi表示,虽然三星电子在先进制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电的节奏,但是它在代工市场上的份额与台积电相比仍有明显差距。因此,三星电子计划通过在3纳米制程工艺上采用GAA晶体管,缩小与台积电的技术差距。该公司认为,随着它和台积电推出下一代2纳米制程工艺,它可以在未来五年内超过台积电。 打印本文 打印本文  关闭窗口 关闭窗口